微流控芯片的分離物檢測方法介紹

      微流控芯片的微結構制(zhì)作(zuò)及鍵合封接完成後，需對微結構的形狀、尺寸和(hé)表面粗糙度進行(xíng)檢測。目前常用的儀器(qì)有(yǒu)：表面輪廓儀和(hé)可(kě)标定的光學顯微鏡，可(kě)以給出微結構的表面輪廓和(hé)截面形狀，并由此推算(suàn)出微結構的深度和(hé)寬度尺寸;掃描電(diàn)子顯微鏡(SEM)可(kě)以給出微結構的立體(tǐ)形貌和(hé)截面形狀，并可(kě)推算(suàn)出尺寸參數(shù);使用原子力顯微鏡(AFM)，可(kě)對微結構的表面粗糙度進行(xíng)觀測。

微流控芯片的分離物檢測方法

　　分離物的高(gāo)靈敏度檢測對于微流控芯片有(yǒu)着重要意義。目前，微流控芯片的檢測方法大(dà)體(tǐ)上(shàng)可(kě)以分為(wèi)3類：光學檢測、電(diàn)化學檢測及質譜學檢測。

　　紫外吸收檢測法是一種常規光學檢測法，相應的檢測器(qì)已經趨于成熟，但(dàn)由于芯片的通(tōng)道(dào)小(xiǎo)、靈敏度不高(gāo)，因此該方法已經不能夠滿足對低(dī)濃度和(hé)極微量樣品分析的要求。激光誘導熒光檢測是所有(yǒu)熒光檢測中靈敏度*高(gāo)的一種方法。多(duō)數(shù)情況下其檢測下限可(kě)達10E-10—10E-12mol/L，所以該方法得(de)到了廣泛的應用。

　　電(diàn)化學檢測有(yǒu)安培法、電(diàn)導法和(hé)電(diàn)位法3種基本模式，其中安培法是應用普遍的一種方法。其基本原理(lǐ)是：測量化合物在電(diàn)極表面受到氧化或還(hái)原反應時(shí)，會(huì)失去或得(de)到電(diàn)子，産生(shēng)與分析物濃度成正比的電(diàn)極電(diàn)流，通(tōng)過測量微通(tōng)道(dào)中的電(diàn)流即可(kě)得(de)到溶液濃度的變化情況。電(diàn)化學檢測的靈敏度可(kě)以與熒光檢測相媲美，同時(shí)，因為(wèi)微電(diàn)極可(kě)以加工到芯片上(shàng)，因此更适合于微芯片的檢測。