今天咱們來(lái)講述下關于光刻機的性能特點

光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制(zhì)造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技(jì)術(shù)，把掩膜版上(shàng)的精細圖形通(tōng)過光線的曝光印制(zhì)到矽片上(shàng)。

光刻機該機可(kě)采用紫外光、深紫外光、甚至更短(duǎn)波長的極紫外光作(zuò)為(wèi)光源，用DMD數(shù)字微鏡陣列替代傳統掩模闆，采用積木 錯位蠅眼透鏡實現高(gāo)均勻照明(míng)。

該機可(kě)采用紫外光、深紫外光、甚至更短(duǎn)波長的極紫外光作(zuò)為(wèi)光源，用DMD數(shù)字微鏡陣列替代傳統掩模闆，采用積木 錯位蠅眼透鏡實現高(gāo)均勻照明(míng)，并配備了雙目雙視(shì)顯微鏡和(hé)CCD圖象對準系統（可(kě)同時(shí)使用），拼接獲得(de)大(dà)面積圖形，曝光設定采用微機控制(zhì)，菜單界面友(yǒu)好，操作(zuò)簡便。

光刻機的主要性能指标有(yǒu)：支持基片的尺寸範圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生(shēng)産效率等。

分辨率是對光刻工藝加工可(kě)以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制(zhì),所以與光源、光刻系統、光刻膠和(hé)工藝等各方面的限制(zhì)。

對準精度是在多(duō)層曝光時(shí)層間(jiān)圖案的定位精度。

曝光方式分為(wèi)接觸接近式、投影(yǐng)式和(hé)直寫式。

曝光光源波長分為(wèi)紫外、深紫外和(hé)極紫外區(qū)域，光源有(yǒu)汞燈，準分子激光器(qì)等。

分類

光刻機一般根據操作(zuò)的簡便性分為(wèi)三種，手動、半自動、全自動

A 手動：指的是對準的調節方式，是通(tōng)過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和(hé)thita角度來(lái)完成對準，對準精度可(kě)想而知不高(gāo)了；

B 半自動：指的是對準可(kě)以通(tōng)過電(diàn)動軸根據CCD的進行(xíng)定位調諧；

C 自動： 指的是 從基闆的上(shàng)載下載，曝光時(shí)長和(hé)循環都是通(tōng)過程序控制(zhì)，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理(lǐ)量的需要。