紫外光刻機的重要技(jì)術(shù)主要體(tǐ)現在這兩個(gè)方面

　　紫外光刻機廣泛應用于半導體(tǐ)、微電(diàn)子、生(shēng)物器(qì)件和(hé)納米技(jì)術(shù)。并且，該系列光刻機已被多(duō)家(jiā)企業、研發中心、科研院所、大(dà)專院校(xiào)采用作(zuò)為(wèi)其光刻系統的基礎；其過硬的技(jì)術(shù)、良好的服務赢得(de)了廣大(dà)用戶的青睐。作(zuò)為(wèi)光刻系統，其重要技(jì)術(shù)在于以下兩個(gè)方面：掩模晶圓對準和(hé)将掩模上(shàng)的圖案複制(zhì)到晶圓上(shàng)，為(wèi)下一步或離子注入工藝做(zuò)準備。

　　紫外光刻機的曝光方式采用壓力可(kě)調的接觸曝光，有(yǒu)效減少(shǎo)光刻膠對掩模版的污染和(hé)掩模版的磨損，從而提高(gāo)掩模版的使用壽命。該機采用i-line紫外曝光光源，光學系統采用特殊的抗衍射和(hé)線陡增強技(jì)術(shù)，采用積木錯位繩眼透鏡實現高(gāo)光均勻照明(míng)，配備雙目雙目顯微鏡和(hé)CCD圖像對準系統（可(kě)以同時(shí)使用）。具有(yǒu)高(gāo)曝光能量、小(xiǎo)聚焦角、厚膠曝光功能。曝光設置微電(diàn)腦(nǎo)控制(zhì)，菜單界面友(yǒu)好，操作(zuò)簡單。

 

　　該設備采用CCD圖像底部對準技(jì)術(shù)和(hé)單曝光頭正面曝光的整體(tǐ)設計(jì)技(jì)術(shù)，實現雙面對準。采用新穎的高(gāo)精度、多(duō)自由度掩模樣品精密對準工作(zuò)台結構設計(jì)，掩模樣品對準過程直觀，雕刻對準速度快，精度高(gāo)。掩模闆和(hé)樣品的放置采用推拉式參考闆和(hé)真空(kōng)吸附，操作(zuò)方便。該裝置可(kě)用于用紫外光照射正膠或負膠，通(tōng)過顯影(yǐng)可(kě)對樣品進行(xíng)精細圖案化。

　　紫外光刻機适用于所有(yǒu)标準化光刻應用，帶有(yǒu)頂部和(hé)底部對齊系統。底部對位系統允許對基闆的上(shàng)下表面進行(xíng)圖形加工，适用于三五組易碎化合物、不規則基闆、透明(míng)基闆和(hé)碎片的微加工。具有(yǒu)鍵合對準升級功能和(hé)衍射減少(shǎo)光學系統。曝光方式可(kě)以是近距離接觸、軟接觸、硬接觸和(hé)真空(kōng)接觸。