紫外光刻機是制(zhì)造集成電(diàn)路中重要的設備，特别是現在市面上(shàng)大(dà)部分的芯片都是屬于電(diàn)子芯片，當電(diàn)子芯片的工藝小(xiǎo)于一定的尺寸的時(shí)候，就必須依靠光刻機在制(zhì)作(zuò)芯片，也就是說如果沒有(yǒu)光刻機就沒有(yǒu)辦法制(zhì)造出頂級的芯片，比如市面上(shàng)7nm芯片、5nm芯片等都不可(kě)能造出。而芯片在生(shēng)活中是重要的，比如電(diàn)腦(nǎo)、手機等電(diàn)子産品都少(shǎo)不了。
該光刻機可(kě)廣泛用于MEMS和(hé)光電(diàn)子，例如LED生(shēng)産。它經過**設計(jì)，方便處理(lǐ)各種非标準基片、例如混合、高(gāo)頻元件和(hé)易碎的III-V族材料，包括砷化镓和(hé)磷化铟。而且該設備可(kě)通(tōng)過選配升級套件，實現紫外納米壓印光刻。它具有(yǒu)以下亮點：高(gāo)分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視(shì)場(chǎng)顯微鏡或分視(shì)場(chǎng)顯微鏡，實現快速準确對準、針對厚膠工藝進行(xíng)優化的高(gāo)分辨光學系統、可(kě)選配通(tōng)用光學器(qì)件，在不同波長間(jiān)進行(xíng)快速切換等。
随着電(diàn)子業的飛速發展,對作(zuò)為(wèi)電(diàn)子元器(qì)件基礎的印制(zhì)闆的需求量及其加工精度的要求越來(lái)越高(gāo)。紫外線光刻機是印制(zhì)闆制(zhì)造工藝中的重要設備。傳統光刻機的玻璃-邁拉曬架在生(shēng)産過程中需要人(rén)工趕氣,邁拉膜需要經常更換。由于冷卻系統過于臃腫,使得(de)其生(shēng)産成本高(gāo)、效率低(dī),已不能滿足PC B 生(shēng)産的需要。在實驗基礎上(shàng)設計(jì)了雙玻璃曬架光刻機，改進了其主要組成部分,包括曬架系統、光路系統、冷卻系統以及電(diàn)氣和(hé)控制(zhì)系統的整體(tǐ)設計(jì)。
在計(jì)算(suàn)機的控制(zhì)下，利用聚焦電(diàn)子束對有(yǒu)機聚合物（通(tōng)常稱為(wèi)電(diàn)子抗蝕劑或光刻膠）進行(xíng)曝光，受電(diàn)子束輻照後的光刻膠，其物理(lǐ)化學性質發生(shēng)變化，在一定的溶劑中形成良溶或非良溶區(qū)域，從而在抗蝕劑上(shàng)形成精細圖形。
紫外光刻機的原理(lǐ)是在已經切割好的晶圓（通(tōng)常是多(duō)晶矽）上(shàng)覆蓋一層具有(yǒu)高(gāo)度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在晶圓表面，被紫外線照射到的光刻膠會(huì)發生(shēng)反應。此後用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實現了電(diàn)路圖從掩模到晶片的轉移。簡單來(lái)說，就用紫外線把多(duō)層電(diàn)路圖雕刻在晶圓上(shàng)，而在這過程中就必然要用到光刻機。
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