紫外光刻機強力助攻微納器(qì)件制(zhì)備

　　紫外光刻機新一代紫外光源：172nm，具有(yǒu)同類産品良好的輸出強度，3%的可(kě)用孔徑，弧光燈使用壽命更長。暴露高(gāo)達30000次，瞬間(jiān)啓動，無需超淨室，內(nèi)置淨化系統可(kě)使系統在大(dà)氣環境中工作(zuò)，無需主動冷卻和(hé)外部冷卻，無有(yǒu)毒氣體(tǐ)和(hé)汞等物質。高(gāo)光能轉換率（EVU僅為(wèi)0.02%），節能；傳統的UV處理(lǐ)會(huì)存在以上(shàng)問題。光刻操作(zuò)可(kě)以在幾分鍾內(nèi)完成，維護簡單，幾乎不需要培訓。

　　

　　1、微米級高(gāo)分辨率投影(yǐng)光刻。

　　

　　2、實現無遮罩任意圖案書(shū)寫，所見即所得(de)，即時(shí)。

　　

　　3、200mm行(xíng)程拼接，100nm拼接精度。

　　

　　4、視(shì)覺引導光斑，支持雕刻。

　　

　　5、全自動操作(zuò)，圖形縮放、旋轉、定位、掃描、拼接均由軟件完成。

　　

　　紫外光刻機紫外投影(yǐng)光刻技(jì)術(shù)将特定形狀的光斑投射到塗在器(qì)件表面的光刻膠上(shàng)。光刻膠的照射區(qū)域會(huì)産生(shēng)化學變化。曝光顯影(yǐng)後，可(kě)形成微米級精密圖案；通(tōng)過進一步的蝕刻或蒸發，可(kě)以在樣品表面形成所需的結構。UV投影(yǐng)光刻作(zuò)為(wèi)材料、器(qì)件、微結構和(hé)微器(qì)件的常用制(zhì)備技(jì)術(shù)，廣泛應用于微納米結構制(zhì)備、半導體(tǐ)器(qì)件電(diàn)極制(zhì)備、太赫茲/毫米波器(qì)件制(zhì)備、光學掩模制(zhì)備、PCB制(zhì)造等應用。

　　

　　傳統的UV投影(yǐng)光刻機需要先制(zhì)作(zuò)掩模版，耗材成本高(gāo)，制(zhì)備周期長，難以滿足材料和(hé)器(qì)件實驗室對靈活性和(hé)實驗進度的要求。近年來(lái)開(kāi)發的紫外光刻機技(jì)術(shù)突破了這一技(jì)術(shù)限制(zhì)，實現了任意形狀編程和(hé)全自動高(gāo)精度大(dà)面積拼接的無掩模光刻，随時(shí)将您的設計(jì)轉化為(wèi)實際的成品，大(dà)大(dà)減少(shǎo)了開(kāi)發和(hé)測試周期，強有(yǒu)力的助攻微納器(qì)件制(zhì)備的“臨門(mén)一腳”。