紫外光刻機可(kě)廣泛用于MEMS和(hé)光電(diàn)子，例如LED生(shēng)産。它方便處理(lǐ)各種非标準基片、例如混合、高(gāo)頻元件和(hé)易碎的III-V族材料，包括砷化镓和(hé)磷化铟。而且該設備可(kě)通(tōng)過選配升級套件，實現紫外納米壓印光刻。它具有(yǒu)以下亮點：高(gāo)分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視(shì)場(chǎng)顯微鏡或分視(shì)場(chǎng)顯微鏡，實現快速準确對準、針對厚膠工藝進行(xíng)優化的高(gāo)分辨光學系統、可(kě)選配通(tōng)用光學器(qì)件，在不同波長間(jiān)進行(xíng)快速切換等。
随着電(diàn)子業的飛速發展,對作(zuò)為(wèi)電(diàn)子元器(qì)件基礎的印制(zhì)闆的需求量及其加工精度的要求越來(lái)越高(gāo)。紫外線光刻機是印制(zhì)闆制(zhì)造工藝中的重要設備。傳統光刻機的玻璃-邁拉曬架在生(shēng)産過程中需要人(rén)工趕氣,邁拉膜需要經常更換。由于冷卻系統過于臃腫,使得(de)其生(shēng)産成本高(gāo)、效率低(dī),已不能滿足PC B 生(shēng)産的需要。在實驗基礎上(shàng)設計(jì)了雙玻璃曬架光刻機，改進了其主要組成部分,包括曬架系統、光路系統、冷卻系統以及電(diàn)氣和(hé)控制(zhì)系統的整體(tǐ)設計(jì)。
在計(jì)算(suàn)機的控制(zhì)下，利用聚焦電(diàn)子束對有(yǒu)機聚合物（通(tōng)常稱為(wèi)電(diàn)子抗蝕劑或光刻膠）進行(xíng)曝光，受電(diàn)子束輻照後的光刻膠，其物理(lǐ)化學性質發生(shēng)變化，在一定的溶劑中形成良溶或非良溶區(qū)域，從而在抗蝕劑上(shàng)形成精細圖形。
對光源系統的要求
a.有(yǒu)适當的波長。波長越短(duǎn)，可(kě)曝光的特征尺寸就越小(xiǎo)；[波長越短(duǎn)，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制(zhì)要求越高(gāo)，因為(wèi)衍射現象會(huì)更嚴重。
b.有(yǒu)足夠的能量。能量越大(dà)，曝光時(shí)間(jiān)就越短(duǎn)；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行(xíng)度等概念來(lái)衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高(gāo)壓弧光燈（高(gāo)壓汞燈），高(gāo)壓汞燈有(yǒu)許多(duō)尖銳的光譜線，經過濾光後使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短(duǎn)的深紫外光光源，可(kě)以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和(hé)F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統的功能主要有(yǒu)：平滑衍射效應、實現均勻照明(míng)、濾光和(hé)冷光處理(lǐ)、實現強光照明(míng)和(hé)光強調節等。
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