紫外光刻機的性能指标主要集中在這幾個(gè)方面

　　紫外光刻機的主要性能指标包括：支撐基闆的尺寸範圍、分辨率、對位精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生(shēng)産效率等。

　　

　　1、分辨率是描述光刻可(kě)以達到的最細線精度的一種方式。光刻機的分辨率受到光源衍射的限制(zhì)，因此受到光源、光刻系統、光刻膠和(hé)工藝的限制(zhì)。

　　

　　2、對準精度是多(duō)層曝光時(shí)層間(jiān)圖案的定位精度。

　　

　　3、曝光方式分為(wèi)接觸接近、投影(yǐng)和(hé)直寫。

　　

　　4、曝光光源的波長分為(wèi)紫外區(qū)、深紫外區(qū)和(hé)極紫外區(qū)。光源包括汞燈、準分子激光器(qì)等。

　　

　　紫外光刻機廣泛應用于半導體(tǐ)、微電(diàn)子、生(shēng)物器(qì)件和(hé)納米技(jì)術(shù)。重要的技(jì)術(shù)在于以下兩個(gè)方面：掩模晶圓對準，以及将掩模上(shàng)的圖案複制(zhì)到晶圓上(shàng)，為(wèi)下一步或離子注入工藝做(zuò)準備。曝光方式采用壓力可(kě)調的接觸曝光，有(yǒu)效降低(dī)了光刻膠對掩模版的污染和(hé)掩模版的磨損，提高(gāo)了掩模版的使用壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高(gāo)性價比令人(rén)印象深刻。

　　

　　紫外光刻機高(gāo)分辨率光刻，光燒蝕/光解/光催化工藝，表面能改性，臭氧産生(shēng)，低(dī)損傷原子表面清潔，增強薄膜附着力，高(gāo)功率平面真空(kōng)紫外光為(wèi)光處理(lǐ)提供了新的可(kě)能性。大(dà)功率弧光燈的革命性使用具有(yǒu)出色的均勻性和(hé)通(tōng)用性，高(gāo)效緊湊的模塊化設計(jì)，這些(xiē)都是在172nm光源上(shàng)實現的。此外，還(hái)創造性地推出了真空(kōng)紫外線處理(lǐ)系統。