紫外光刻機的高(gāo)性價比令人(rén)印象深刻

　　光刻是一種使用曝光将設計(jì)的掩模圖案轉移到基闆上(shàng)的工藝。紫外光刻機是專為(wèi)實驗室研發和(hé)小(xiǎo)批量生(shēng)産而設計(jì)的高(gāo)分辨率光刻系統。光刻機提供良好的基闆适應性，可(kě)夾持标準尺寸基闆的最大(dà)直徑為(wèi)150mm。該設備提供多(duō)種曝光方式，包括真空(kōng)、軟接觸、硬接觸、最近鄰等，可(kě)實現鍵合對準、納米壓紋、微接觸密封等多(duō)種功能。

　　雙面對位的整體(tǐ)設計(jì)技(jì)術(shù)采用CCD圖像底部對位技(jì)術(shù)和(hé)單曝光頭正面曝光實現。采用新型高(gāo)精度、多(duō)自由度光罩樣品精密對準工作(zuò)台結構設計(jì)，光罩樣品對準過程直觀，雕刻對準速度快，精度高(gāo)。掩膜闆和(hé)樣品的放置采用推拉式參考闆和(hé)真空(kōng)吸附，操作(zuò)方便。該裝置可(kě)用于用紫外光照射正膠或負膠，通(tōng)過顯影(yǐng)可(kě)對樣品進行(xíng)精細圖案化。

　　紫外光刻機廣泛應用于半導體(tǐ)、微電(diàn)子、生(shēng)物器(qì)件和(hé)納米技(jì)術(shù)。而且，該系列光刻機已被多(duō)家(jiā)企業、研發中心、科研院所、高(gāo)校(xiào)采用作(zuò)為(wèi)其光刻系統的基礎；其過硬的技(jì)術(shù)、技(jì)術(shù)和(hé)良好的服務赢得(de)了廣大(dà)用戶的青睐。

　　作(zuò)為(wèi)光刻系統，重要的UV曝光機技(jì)術(shù)在于以下兩個(gè)方面：掩模晶圓對準和(hé)将掩模上(shàng)的圖案複制(zhì)到晶圓上(shàng)，為(wèi)下一步或離子注入工藝做(zuò)準備。紫外光刻機系統的曝光方式采用壓力可(kě)調的接觸式曝光，有(yǒu)效減少(shǎo)光刻膠對掩膜的污染和(hé)掩膜的磨損，從而提高(gāo)掩膜的使用壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高(gāo)性價比令人(rén)印象深刻。